Enhancement Mode β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 Heterostructure FET (HFET) With High Transconductance and Cutoff Frequency

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标题	Enhancement Mode β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 Heterostructure FET (HFET) With High Transconductance and Cutoff Frequency 高跨导高截止频率增强模式β-（AlxGa1-x）2O3/Ga2O3异质结构FET 相关领域跨导异质结物理光电子学晶体管量子力学电压
网址	https://doi.org/10.1109/led.2021.3104256
DOI	10.1109/led.2021.3104256 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Abhishek Vaidya; Chinmoy Saha; Uttam Singisetti 出版日期：2021-08-11
求助人	奕奕在 2023-10-17 15:48:29 发布自湖北，悬赏 10 积分
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