| 标题 |
 Emerging trends in OBIC characterization technique for Wide Bandgap semiconductor devices 宽带隙半导体器件OBIC表征技术的新动向
相关领域
材料科学
氮化镓
光电子学
碳化硅
宽禁带半导体
半导体
带隙
半导体器件
功率半导体器件
表征（材料科学）
电压
硅
计算机科学
工程物理
纳米技术
电气工程
工程类
冶金
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Dominique Planson; Camille Sonneville; Pascal Bevilacqua; Dominique Tournier 出版日期：2023-10-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
李金文
GingerF
pcr163
再给我来点抽象的
小邸
馆长
Virtual
xun
VDC
爆米花
丁浩伦
yydragen
null
番茄
科目三
冷静的多巴胺
SCINEXUS
kd1412
核桃
lgq12697
皖公网安备34019202002308
