Effects of GaN channel downscaling in AlGaN–GaN high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate

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标题	Effects of GaN channel downscaling in AlGaN–GaN high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate 生长在AlN块体衬底上的AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管结构中GaN沟道降尺度效应相关领域高电子迁移率晶体管材料科学光电子学分子束外延异质结晶体管透射电子显微镜薄板电阻电子迁移率击穿电压基质（水族馆）等效串联电阻阈值电压外延纳米技术电压电气工程图层（电子）海洋学地质学工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0147048
DOI	10.1063/5.0147048 doi
其它	期刊：Journal of applied physics 作者：Reda Elwaradi; Jash Mehta; Thi Huong Ngo; M. Némoz; Catherine Bougerol; et al 出版日期：2023-04-13
求助人	赖飞阳在 2024-05-16 02:57:51 发布自天津，悬赏 10 积分
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