| 标题 |
[高分]
 学位论文 以金屬氧化物半導體作為主動層之低溫氧化鉿鋯鐵電電晶體記憶特性研究 Memory Characteristics of Low-Temperature HfZrO2 Ferroelectric Thin-Film Transistors Based on Metal Oxide Channels |
| 网址 | |
| DOI |
10.6342/NTU202500676
doi
|
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
科研通AI2.0
机器人 未找到该文献，机器人已退出，请等待人工下载
10:51:57 未找到该文献，机器人已退出，请等待人工下载10:51:55 科研通AI机器人（英国 伦敦）收到请求，开始寻找文献10:51:53 已向机器人发送请求
zhaozhao228
Lv11 求助人 发起了本次求助
昏睡的蟠桃
科研助手6
SYLH
cdercder
nozero
卡卡西
带头大哥
妞妞公主喜欢派大星
pcr163
LMNg6n
HEIKU
iNk
平常的毛豆
HEAUBOOK
迷人秋烟
蘑菇屋
子车茗
冰魂
Thien
Billy
皖公网安备34019202002308
