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New Insights into TDDB in FinFET Based on Strain Analysis at the Atomistic Scale 基于原子尺度应变分析的FinFET TDDB新见解
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
比例(比率)
拉伤
工程物理
光电子学
凝聚态物理
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电气工程
物理
工程类
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内科学
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期刊: 作者:Zuoyuan Dong; Zixuan Sun; Lan Li; Zirui Wang; Changqing Ye; et al 出版日期:2025-03-30 |
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