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 First Demonstration of Monolithic Three-Dimensional Integration of Ultra-High Density Hybrid IGZO/Si SRAM and IGZO 2T0C DRAM Achieving Record-Low Latency (<10ns), Record-Low Energy (<10fJ) of Data Transfer and Ultra-Long Data Retention (>5000s) 首次演示超高密度混合IGZO/Si SRAM和IGZO 2T0C DRAM的单片三维集成，实现了创纪录的低延迟（<10ns）、创纪录的低能量（<10fJ）数据传输和超长数据保留（>5000s）
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内存控制器
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期刊：2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Menggan Liu; Zhi Li; Wendong Lu; Kaifei Chen; Jiebin Niu; et al 出版日期：2024-06-16 |
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