Threshold switching in nickel-doped zinc oxide based memristor for artificial sensory applications

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标题	Threshold switching in nickel-doped zinc oxide based memristor for artificial sensory applications 人工传感用镍掺杂氧化锌忆阻器的阈值开关相关领域记忆电阻器材料科学伤害感受器兴奋剂镍氧化镍感觉系统纳米技术光电子学冶金电气工程神经科学医学内科学工程类生物受体伤害
网址	https://doi.org/10.1039/d2nr05257a
DOI	10.1039/d2nr05257a doi
其它	期刊：Nanoscale 作者：Rajwali Khan; Naveed ur Rehman; Nasir Ilyas; N. Sfina; M. Barhoumi; et al 出版日期：2023-01-01
求助人	CQ 在 2025-04-14 22:24:56 发布自湖北，悬赏 10 积分
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