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 β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Near-Zero Turn-on Voltage and Breakdown Voltage over 3.6 kV 具有接近零的导通电压和超过3.6 kV击穿电压的β-Ga2O3肖特基势垒二极管
相关领域
肖特基势垒
击穿电压
二极管
光电子学
材料科学
电压
肖特基二极管
转身（生物化学）
零（语言学）
电气工程
物理
工程类
核磁共振
语言学
哲学
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| 其它 |
期刊：Transactions on Electrical and Electronic Materials 作者：Kyu Jun Cho; Woojin Chang; Hoon-Ki Lee; Jae Kyoung Mun 出版日期：2024-04-03 |
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