| 标题 |
 Insights into dynamic switching behavior and electric field distribution of depletion-mode GaN HEMT with bonding pad over active layout 有源布局上键合焊盘耗尽型GaN HEMT的动态开关行为和电场分布
相关领域
高电子迁移率晶体管
电场
模式（计算机接口）
光电子学
领域（数学）
材料科学
分布（数学）
化学
电气工程
物理
计算机科学
电压
晶体管
工程类
数学
数学分析
量子力学
纯数学
操作系统
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Lijian Guo; Feng Zhou; Weizong Xu; Fangfang Ren; Dong Zhou; et al 出版日期：2024-02-19 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
WaitP
孤独尔白
剑指东方是为谁
随遇而安
斯寜
bc
YifanWang
核桃
pcr163
MchemG
诸葛御风
jyy
七慕凉
genomed
优秀的流沙
Alex
繁荣的心情
SYLH
调皮黑猫
平常的毛豆
皖公网安备34019202002308
