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标题
A 4H-SiC MOSFET Integrated Trench Diode to Enhance Single-Event Effect Robustness
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DOI
10.1109/ISPSD64561.2026.11554020 doi
求助人
一只小蜜蜂 在 2026-09-15 10:55:15 发布自北京,悬赏 10 积分
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