Optimization of Void Defects at TiN/Si:HfO2 Interface for 3-D Ferroelectric Memory

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标题	Optimization of Void Defects at TiN/Si:HfO2 Interface for 3-D Ferroelectric Memory
网址	https://doi.org/10.1109/TSM.2024.3403230
DOI	10.1109/TSM.2024.3403230 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 作者：Dongxue Zhao; Zhiliang Xia; Yi Yang; Meiying Liu; Yuancheng Yang; Zongliang Huo 出版日期：2024
求助人	zaezae 在 2026-06-24 15:20:55 发布自上海，悬赏 10 积分
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