0.79 mΩ•cm2 and 1.1 kV Vertical Mo/β-Ga2O3 Deep-Trench-HJBS Diode with Double Drift Layers

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标题	0.79 mΩ•cm2 and 1.1 kV Vertical Mo/β-Ga2O3 Deep-Trench-HJBS Diode with Double Drift Layers
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11553432/11553442/115535...
DOI	10.1109/ispsd64561.2026.11553594 doi
其它	期刊：International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 作者：Qiuyan Li; Jinyang Liu; Qi Liu; Song He; Zaitian Han; et al 出版日期：2026-05-24
求助人	奋斗幻姬在 2026-08-24 18:46:23 发布自河南，悬赏 10 积分
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