| 标题 |
 Mobility Enhancement of Strained MoS2 Transistor on Flat Substrate 应变MoS2晶体管在平面衬底上的迁移率增强
相关领域
材料科学
应变工程
电子迁移率
晶体管
半导体
光电子学
基质（水族馆）
电介质
单层
纳米棒
硅
纳米技术
电气工程
海洋学
电压
地质学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：ACS Nano 作者：Yang Chen; Donglin Lu; Lingan Kong; Quanyang Tao; Likuan Ma; et al 出版日期：2023-07-17 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Criminology34
最爱巧克力和抹茶
潇洒的惋清
Yyyyyyyyy
GingerF
七月流火
无极微光
克克
wjh
claudio12
morena
贪玩的秋柔
vin
Rita
昏睡的丹琴
灰雁
YifanWang
OsamaKareem
斯文的白玉
缓慢怜菡
皖公网安备34019202002308
