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标题
Physical analysis of normally-off ALD Al2O3/GaN MOSFET with different substrates using self-terminating thermal oxidation-assisted wet etching technique
使用自终止热氧化辅助湿法刻蚀技术对不同衬底Al2O3/GaN MOSFET常关ALD的物理分析
相关领域
材料科学 基质（水族馆） 光电子学 蚀刻（微加工） 硅 蓝宝石 MOSFET 晶体管 图层（电子） 纳米技术 电气工程 光学 激光器 地质学 物理 海洋学 工程类 电压
网址
https://doi.org/10.1088/1674-1056/ac6743
DOI
10.1088/1674-1056/ac6743 doi
其它 期刊：Chinese Physics B
作者：Chengyu Huang; Jinyan Wang; Bin Zhang; Zhen Fu; Fang Liu; et al
出版日期：2022-04-14
求助人
xiaoxiao 在 2025-12-05 15:58:15 发布自江西，悬赏 10 积分
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