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 Physical analysis of normally-off ALD Al2O3/GaN MOSFET with different substrates using self-terminating thermal oxidation-assisted wet etching technique 使用自终止热氧化辅助湿法刻蚀技术对不同衬底Al2O3/GaN MOSFET常关ALD的物理分析
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期刊：Chinese Physics B 作者：Chengyu Huang; Jinyan Wang; Bin Zhang; Zhen Fu; Fang Liu; et al 出版日期：2022-04-14 |
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