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  Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs 1.2 kV SiC SBD嵌入式MOSFET短路和浪涌电流能力的比较研究
相关领域
材料科学
肖特基二极管
光电子学
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电气工程
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Keisuke Kashiwa; Mitsuki Takahashi; Yudai Kitamura; Hiroshi Yano; Noriyuki Iwamuro 出版日期：2023-02-03 |
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