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Vertical-Channel Fin-SiC (VC Fin-SiC) With Partially Highly Doped JFET for 3.3-kV Applications 用于3.3 kV应用的具有部分高掺杂JFET的垂直沟道Fin-SiC(VC Fin-SiC)
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Tomoka Suematsu; Takeru Suto; Naoki Watanabe; Yuki Mori; Haruka Shimizu; et al 出版日期:2024 |
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