InGaN multiple quantum well based light-emitting diodes with indium composition gradient InGaN quantum barriers

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标题	InGaN multiple quantum well based light-emitting diodes with indium composition gradient InGaN quantum barriers InGaN多量子阱InGaN梯度量子势垒发光二极管相关领域光电子学发光二极管材料科学量子效率波段图量子阱二极管光子学铟量子载流子产生和复合铟镓氮化物激光器光学物理带隙半导体量子力学
网址	https://doi.org/10.1007/s11801-024-3099-0
DOI	10.1007/s11801-024-3099-0 doi
其它	期刊：Optoelectronics Letters 作者：Xien Sang; Yuan Xu; Mengshuang Yin; Fang Wang; Juin J. Liou; et al 出版日期：2024-01-09
求助人	郑工周在 2025-11-14 22:29:44 发布自河南，悬赏 10 积分
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