Five-step plasma-enhanced atomic layer etching of silicon nitride with a stable etched amount per cycle

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标题	Five-step plasma-enhanced atomic layer etching of silicon nitride with a stable etched amount per cycle
网址	http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac61f6
DOI	10.35848/1347-4065/ac61f6 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Akiko Hirata; Masanaga Fukasawa; Jomar U. Tercero; Katsuhisa Kugimiya; Yoshiya Hagimoto; et al 出版日期：2022-05-23
求助人	Atlantis 在 2026-10-13 15:17:55 发布自上海，悬赏 10 积分
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