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标题
Degradation of SiC MOSFETs Under High-Bias Switching Events
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DOI
10.1109/JESTPE.2021.3064288 doi
其它 期刊:IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
作者:Joseph P. Kozak; Ruizhe Zhang; Jingcun Liu; Khai D. T. Ngo; Yuhao Zhang
出版日期:2022
求助人
忧虑的土豆 在 2026-05-29 05:32:24 发布自四川,悬赏 10 积分
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