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标题
Comprehensive TCAD-Based Single Event Effect Study of TFET-Based 1T DRAM and Crossbar Memory Array
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DOI
10.1109/tdmr.2025.3528903 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
作者:Dhananjay Prakash; Neha Kamal; Avinash Lahgere
出版日期:2025-01-14
求助人
李沐唅 在 2026-05-17 22:20:55 发布自贵州,悬赏 10 积分
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