Contact Resistance Reduction of MoS2-Based Field Effect Transistor Using Semimetallic TiS2 Contact Layer Deposited By Atomic Layer Deposition

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标题	Contact Resistance Reduction of MoS2-Based Field Effect Transistor Using Semimetallic TiS2 Contact Layer Deposited By Atomic Layer Deposition
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1149/MA2024-02201810mt...
DOI	10.1149/ma2024-02201810mtgabs doi
其它	期刊：ECS Meeting Abstracts 作者：Jeongwoo Seo; Hwi Yoon; Sangyoon Lee; Inkyu Sohn; Hyung-jun Kim; et al 出版日期：2024-12-20
求助人	LiuHao 在 2026-03-25 21:25:20 发布自河南，悬赏 10 积分
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