Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation

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标题	Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation 相关领域肖特基二极管二极管阳极电场肖特基势垒物理材料科学光电子学电极量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/iciprm.2019.8819031
DOI	10.1109/iciprm.2019.8819031 doi
其它	期刊：作者：Chia-Hung Lin; Yohei Yuda; Man Hoi Wong; Mayuko Sato; Nao Takekawa; et al 出版日期：2019-05-01
求助人	momo19 在 2025-09-28 17:53:30 发布自越南，悬赏 10 积分
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