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![]() 掺杂HfOx RRAM中氧空位形成的从头计算模拟:氧化物相、化学计量和掺杂剂浓度的影响
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Liang Zhao; Sergiu Clima; Blanka Magyari-Köpe; M. Jurczak; Yoshio Nishi 出版日期:2015-07-06 |
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