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 Ab initio modeling of oxygen-vacancy formation in doped-HfOx RRAM: Effects of oxide phases, stoichiometry, and dopant concentrations 掺杂HfOx RRAM中氧空位形成的从头计算模拟：氧化物相、化学计量和掺杂剂浓度的影响
相关领域
掺杂剂
化学计量学
从头算
电阻随机存取存储器
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氧化物
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化学物理
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化学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Liang Zhao; Sergiu Clima; Blanka Magyari-Köpe; M. Jurczak; Yoshio Nishi 出版日期：2015-07-06 |
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