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![]() 通过同位素分离和富集提高硅基半导体器件的抗中子辐射能力
相关领域
中子
硅
放射化学
抗辐射性
辐射损伤
半导体
同位素
核物理学
辐射
材料科学
物理
化学
光电子学
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其它 |
期刊:Radiation effects and defects in solids 作者:Ying Bai; Zenghua Cai; Yu‐Ning Wu; Shiyou Chen 出版日期:2021-01-07 |
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amor
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2025-08-29 14:14:36 发布,悬赏 30 积分
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