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 GeSn based heterojunction double-gate tripple metal layer vertical TFET with enhanced DC and Analog/RF performance 具有增强的直流和模拟/射频性能的GeSn基异质结双栅三金属层垂直TFET
相关领域
双极扩散
材料科学
光电子学
异质结
带隙
量子隧道
金属浇口
晶体管
工作职能
图层（电子）
栅氧化层
纳米技术
电气工程
电压
物理
电子
工程类
量子力学
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| 其它 |
期刊：Micro and Nanostructures 作者：Tulika Chawla; Mamta Khosla; Balwinder Raj 出版日期：2022-09-07 |
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