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 Optimization of a 3.5 μm Pitch 3D-Stacked Back-Illuminated SPAD in 40 nm CIS Technology: Achieving 37% PDP at 940 nm 40 nm CIS技术中3.5 μ m间距3D堆叠背照SPAD的优化：在940 nm实现37%PDP
相关领域
材料科学
光电子学
计算机科学
光学
物理
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| 其它 |
期刊： 作者：Eunsung Park; Hyo-Sung Park; Hyun-Seung Choi; Joo‐Hyun Kim; Doyoon Eom; et al 出版日期：2025-06-08 |
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