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 EXTRACTION OF POLARIZATION-INDUCED CHARGE DENSITY INMODULATION-DOPED AlxGa1-xN/GaN HETEROSTRUCTURETHROUGH THE SIMULATION OF THE SCHOTTKY CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS 相关领域
材料科学
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Yugang Zhou; Bo Shen; Jie Liu; Zhou Hui-Mei; Huiqiang Yu; et al 出版日期：2001-01-01 |
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keyantongaaa
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