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标题
High Power Normally-OFF GaN/AlGaN HEMT with Regrown p Type GaN
相关领域
高电子迁移率晶体管 材料科学 兴奋剂 光电子学 宽禁带半导体 晶体管 分子束外延 外延 图层（电子） 电气工程 纳米技术 电压 工程类
网址
https://www.mdpi.com/1996-1073/14/19/6098/pdf?version=163248...
AI链接 mdpi.com mdpi.com doaj.org hal.science archives-ouvertes.frdoi.org
DOI
10.3390/en14196098 doi
其它 期刊：Energies
作者：Gwen Rolland; Christophe Rodriguez; Guillaume Gommé; Abderrahim Rahim Boucherif; Ahmed Chakroun; et al
出版日期：2021-09-24
求助人
坚定的鼠标 在 2025-10-11 20:15:35 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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