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Effects of Ge fraction on electrical characteristics of strained Si1-xGe x channel p-MOSFET
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阈值电压 材料科学 MOSFET 阈下传导 锗 凝聚态物理 阈下斜率 电容 分数（化学） 电压 光电子学 晶体管 物理 电极 硅 化学 量子力学 有机化学
网址
https://doi.org/10.7498/aps.60.077102
DOI
10.7498/aps.60.077102 doi
其它 期刊：Acta Physica Sinica
作者：Yang Zhou; Chong Wang; Hongtao Wang; Weida Hu; Yang Yu
出版日期：2011-01-01
求助人
Xiny 在 2025-10-16 22:35:20 发布自四川，悬赏 10 积分
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