β –Ga₂O₃ Sub-Micron FinFETs With Si Delta-Doped Channel Modulating >3 × 10 13 cm –2 Charge Density

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标题	β –Ga₂O₃ Sub-Micron FinFETs With Si Delta-Doped Channel Modulating >3 × 10 13 cm –2 Charge Density
网址	https://ieeexplore.ieee.org/ielam/55/11415337/11359210-aam.p...
DOI	10.1109/led.2026.3656173 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Nabasindhu Das; Cameron Gorsak; Ankita Kashyap; Advait Gilankar; Pushpanshu Tripathi; et al 出版日期：2026-01-21
求助人	憨憨在 2026-10-23 16:34:54 发布自上海，悬赏 10 积分
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