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标题
Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs
界面处的偶极散射：SiC MOSFET中观察到的低迁移率的起源
相关领域
散射 电子迁移率 声子散射 偶极子 凝聚态物理 电场 MOSFET 载流子散射 材料科学 电子散射 电子 电荷密度 化学 电压 物理 晶体管 光学 有机化学 量子力学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0086172
AI链接 scitation.org arxiv.org arxiv.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0086172 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Tetsuo Hatakeyama; Hirohisa Hirai; Mitsuru Sometani; Dai Okamoto; Mitsuo Okamoto; et al
出版日期：2022-04-08
求助人
安详的凝竹 在 2025-12-04 11:32:31 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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