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AlGaN-Based Ultraviolet PIN Photodetector Grown on Silicon Substrates Using SiN Nitridation Process and Step-Graded Buffers 采用氮化SiN工艺和阶梯式缓冲液在硅衬底上生长的AlGaN基紫外光PIN光电探测器
相关领域
光电探测器
材料科学
响应度
欧姆接触
光电子学
暗电流
硅
紫外线
退火(玻璃)
氮化镓
氮化物
图层(电子)
纳米技术
复合材料
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期刊:Crystals 作者:Jian Li; Yan Maidebura; Yang Zhang; Gang Wu; Yanmei Su; et al 出版日期:2024-10-31 |
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