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Tunneling Dielectric Thickness‐Dependent Behaviors in Transistors Based on Sandwiched Small Molecule and Insulating Layer Structures 基于夹层小分子和绝缘层结构的晶体管中的隧穿介电厚度相关行为
相关领域
材料科学
量子隧道
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电介质
光电子学
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电压
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期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Dong Hyun Lee; Yunchae Jeon; Junhwan Choi; Hocheon Yoo 出版日期:2024-12-17 |
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