| 标题 |
 Existence of ferroelectric resistive switching memory in MoS 2 /PVDF heterojunction devices 相关领域
聚偏氟乙烯
材料科学
电阻式触摸屏
光电子学
铁电性
磁滞
异质结
极化（电化学）
非易失性存储器
聚合物
凝聚态物理
复合材料
电气工程
化学
物理
物理化学
电介质
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Weisong Liu; Hui Yang; Lan Li 出版日期：2021-06-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Criminology34
小小
tuanheqi
风清扬
6666
无极微光
韩55
孤独的不凡
清飏
ZYP
Hayat
sxb10101
不安青牛
kento
归尘
快乐若云
cenghao
开放青旋
子车茗
dawnfrf
onion
BruceZh
ccm
反恐分子
皖公网安备34019202002308
