| 标题 |
 Design of 3 bit/cell NAND Memory Array Based on Ferroelectric Field Effect Transistor 相关领域
与非门
位（键）
非易失性存储器
晶体管
铁电RAM
铁电性
场效应晶体管
铁电电容器
计算机科学
存储单元
随机存取存储器
电子工程
光电子学
电气工程
逻辑门
计算机硬件
材料科学
工程类
电压
电介质
计算机安全
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Albert Daimari; Ankit Chakusaru Deori; Amab Ratna Pawe; Ratul Kumar Baruah 出版日期：2024-01-06 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
科研通AI6.1
无极微光
Criminology34
null
专注的问寒
spc68
Rollei
BowieHuang
pluto
轨迹
风清扬
niNe3YUE
子车茗
寻道图强
iNk
Moonpie
HOAN
归尘
Twonej
LaTeXer
yznfly
小青椒
优美紫槐
6666
皖公网安备34019202002308
