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 Reduction of off-state drain current in AlN/β−Ga2O3 HEMT by trap state engineering 利用陷阱态工程降低AlN/β-Ga2O3HEMT关态漏极电流
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Aishwarya Tomar; Satyendra Mourya; Rahul Kumar 出版日期：2024-04-01 |
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