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 The Effect of Fluorine Doping in the Charge Trapping Layer on Device Characteristics and Reliability of E-Mode GaN MIS-HEMTs 电荷俘获层氟掺杂对E型GaN MIS-HEMTs器件特性和可靠性的影响
相关领域
俘获
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Tsung-Ying Yang; Sih-Rong Wu; Jui-Sheng Wu; Yan-Kui Liang; Mei-Yan Kuo; et al 出版日期：2024-05-13 |
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