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  Comprehensive model for ideal reverse leakage current components in Schottky barrier diodes tested in GaN-on-SiC samples 在GaN-on-SiC样品中测试的肖特基势垒二极管中理想反向漏电流分量的综合模型
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：B. Orfao; G Di gioia; B.G. Vasallo; S. Perez; Javier Mateos; et al 出版日期：2022-07-25 |
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