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  Protocol for doping of an Sn-based two-dimensional perovskite semiconductor by incorporating SnI4 for field-effect transistors and thermoelectric devices 用于场效应晶体管和热电器件的掺入SnI4掺杂Sn基二维钙钛矿半导体的方案
相关领域
兴奋剂
热电效应
材料科学
场效应晶体管
钙钛矿（结构）
晶体管
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工程类
热力学
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期刊：STAR Protocols 作者：Yu Liu; Pingan Chen; Xincan Qiu; Jing Guo; Jiangnan Xia; et al 出版日期：2022-11-19 |
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