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Comparison of 6H-SiC and 4H-SiC high voltage planar ACCUFETs |
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期刊:Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. ISPSD'98 (IEEE Cat. No.98CH36212) 作者:R.K. Chilukuri; P.M. Shenoy; B.J. Baliga 出版日期:1998 |
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(2025-6-4)