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 Study of AlGaN/GaN MOSHEMT device with Al2O3 insulating film 相关领域
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
肖特基势垒
饱和电流
肖特基二极管
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原子层沉积
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图层（电子）
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Feng Qian; Yue Hao; Yue Yuanzheng 出版日期：2008-01-01 |
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