| 标题 |
Electroluminescence study of InGaN/GaN QW based p-i-n and inverted p-i-n junction based short-wavelength LED device using laser MBE technique InGaN/GaN QW基p-i-n和倒置p-i-n结短波长LED器件的激光MBE电致发光研究
相关领域
发光二极管
材料科学
光电子学
电致发光
量子阱
量子效率
激光器
分子束外延
基质(水族馆)
结温
图层(电子)
外延
光学
纳米技术
物理
功率(物理)
海洋学
量子力学
地质学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Optical Materials 作者:Gunjan Yadav; Sheetal Dewan; Monika Tomar 出版日期:2022-03-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)