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 Low-Temperature Atomic Layer Deposition of AlN Using Trimethyl Aluminum and Plasma Excited Ar Diluted Ammonia 三甲基铝和等离子体激发Ar稀氨低温原子层沉积AlN
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期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Kentaro Saito; Kazuki Yoshida; Masanori Miura; Kensaku Kanomata; Bashir Ahmmad; et al 出版日期：2022-06-26 |
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