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 Improvement of TDDB reliability, characteristics of HfO2 high-k/metal gate MOSFET device with oxygen post deposition annealing 氧沉积后退火提高HfO2高k/金属栅MOSFET器件的TDDB可靠性和特性
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材料科学
负偏压温度不稳定性
退火（玻璃）
金属浇口
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光电子学
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Chia-Wei Hsu; Yean-Kuen Fang; Wen-Kuan Yeh; Chun-Yu Chen; Yen-Ting Chiang; et al 出版日期：2010-03-02 |
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