Formation and propagation mechanism of complex stacking fault in 180 μm thick 4H-SiC epitaxial layers

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标题	Formation and propagation mechanism of complex stacking fault in 180 μm thick 4H-SiC epitaxial layers 180 μ m厚4H-SiC外延层中复杂层错的形成与扩展机制相关领域外延材料科学叠加断层碳化硅堆积位错结晶学光致发光紫外线硅光电子学复合材料图层（电子）凝聚态物理核磁共振化学物理
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.scriptamat.2023.115598
DOI	10.1016/j.scriptamat.2023.115598 doi
求助人	宇宙的中心在 2024-04-24 18:19:36 发布自江苏，悬赏 20 积分
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