Monolayered semiconducting GeAsSe and SnSbTe with ultrahigh hole mobility

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标题	Monolayered semiconducting GeAsSe and SnSbTe with ultrahigh hole mobility 超高空穴迁移率单层半导体GeAsSe和SnSbTe 相关领域半导体单层电子迁移率材料科学声子色散（光学）直接和间接带隙电子结构化学物理吸收（声学）吸收边光电子学纳米技术凝聚态物理带隙化学光学物理复合材料
网址	https://doi.org/10.1007/s11467-018-0810-2
DOI	10.1007/s11467-018-0810-2 doi
其它	期刊：Frontiers of Physics in China 作者：Yu Guo; Nan Gao; Yizhen Bai; Jijun Zhao; Xiao Cheng Zeng 出版日期：2018-07-10
求助人	ning 在 2024-05-16 16:59:50 发布自江苏，悬赏 10 积分
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