Buffer Layer Engineering of Indium Oxide Based Trench TFT for Ultra High Current Driving

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标题	Buffer Layer Engineering of Indium Oxide Based Trench TFT for Ultra High Current Driving 用于超高电流驱动的氧化铟基沟槽TFT缓冲层设计相关领域薄膜晶体管符号图层（电子）计算机科学算术数学材料科学纳米技术
网址	https://doi.org/10.1109/led.2023.3312360
DOI	10.1109/led.2023.3312360 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yun‐Taek Im; Seong‐In Cho; Jingyu Kim; Namgyu Woo; Joong Hyup Ko; et al 出版日期：2023-11-01
求助人	单薄碧灵在 2024-04-28 16:54:36 发布自广东，悬赏 10 积分
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