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标题
Robust HV Power pLDMOS Components for ESD Protection by the Drain-side Parasitic Schottky Diode and SCR Engineering
利用漏极寄生肖特基二极管和可控硅工程实现ESD保护的高强度高压功率pLDMOS器件
相关领域
肖特基二极管 电气工程 二极管 材料科学 拓扑（电路） 光电子学 工程类
网址
https://doi.org/10.23919/ipec-himeji2022-ecce53331.2022.9806...
DOI
10.23919/ipec-himeji2022-ecce53331.2022.9806937 doi
其它 期刊：
作者：Shen-Li Chen; Shi-Zhe Hong; Wei‐Jung Chen
出版日期：2022-05-15
求助人
zcw 在 2025-05-22 12:10:25 发布自山东，悬赏 10 积分
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