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 High-throughput methodology for the realization of high-entropy sub-nm equivalent-oxide-thickness high-dielectric-constant Ba(Ti,Zr,Ta,Hf,Mo)O3 film-based metal-oxide-semiconductor-related devices 实现高熵亚纳米等效氧化物厚度高介电常数Ba（Ti，Zr，Ta，Hf，Mo）O3膜基金属氧化物半导体相关器件的高通量方法
相关领域
材料科学
等效氧化层厚度
高-κ电介质
无定形固体
电介质
金属浇口
栅极电介质
光电子学
退火（玻璃）
分析化学（期刊）
氧化物
阈值电压
溅射
晶体管
栅氧化层
薄膜
纳米技术
冶金
电压
电气工程
结晶学
化学
色谱法
工程类
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期刊：Materials Today Physics 作者：Victor Nguyen; T. Nagata; Kao-Shuo Chang 出版日期：2023-08-01 |
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