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 MOSCAP Ring Modulator with 1.5 µm Radius, 8.5 THz FSR and 30 GHz/V Shift Efficiency in a 45 nm SOI CMOS Process 采用45 nm SOI CMOS工艺，半径为1.5µm，FSR为8.5 THz，移位效率为30 GHz/V
相关领域
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光电子学
太赫兹辐射
CMOS芯片
半径
光子学
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材料科学
光学
物理
电信
硅
工程类
计算机科学
计算机安全
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期刊：Optical Fiber Communication Conference (OFC) 2021 作者：Hayk Gevorgyan; Anatol Khilo; Mark T. Wade; Vladimir M. Stojanović; Miloš A. Popović 出版日期：2021-10-20 |
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